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电子工业污染物排放标准平板显示器电真空及光电子器件-环保部PDF
发布日期:2019-10-25 17:15   来源:未知   阅读:

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  附件五: 电子工业污染物排放标准 平板显示器、电真空及光电子器件 编 制 说 明 (征求意见稿) 《电子工业污染物排放标准 平板显示器、电真空及光电子器件》编制组 二 00 八年六月 1 目 录 1.标准的编制过程 3 1.1任务来源 3 1.2标准制定的必要性 3 1.3 标准制定的原则和方法4 2.产污分析及污染因子的确定 5 2.1电真空行业产污分析(以 CRT生产为代表) 5 2.2 新型平板显示器行业产污染状况分析9 2.3 光电子器件生产污染状况分析 28 2.4污染物因子的筛选和确定 29 3. 标准框架及标准值的确定 30 3.1标准的框架结构及内容 30 3.2 标准的适用范围30 4. 标准比较 31 4.1国内外污水排放标准比较分析 31 4.2大气污染物排放标准比较分析 36 5 标准实施的技术措施 38 5.1 水污染物治理技术措施38 5.2 大气污染物治理技术措施46 5.3 水、气污染物监测技术措施55 6.标准实施后的环境经济损益分析55 7. 其他 56 2 电子工业污染物排放标准 平板显示器、电真空及光电子器件 编 制 说 明 1.标准的编制过程 1.1 任务来源 电子工业污染物排放标准是由国家环保总局标准司确定的系列标准,本标准是该系列之一。2006 年 10 月,编制组在对美国、日本等国家和我国台湾地区的环境标准体系进行研究的基础上,结合我 国环保体系的发展趋势,按照国家环保局按行业编制我国污染物排放标准的思路,编写出本标准的 开题论证报告,并得到了国家环保局的批准。此后,开始了调研及资料整理和研究工作,并编制了 本标准。与国家环境保护总局签订的《环境保护项目任务合同书》项目名称为:电子工业污染物排 放标准-电线 标准制定的必要性 目前,我国只有少数针对行业制定的国家污染物排放标准。按照环境标准管理办法的规定,对 尚未制订行业排放标准的行业,一律执行污染物综合排放标准。水污染物排放,在 1988-1996 年间执 行《污水综合排放标准》(GB 8978-1988) 。1996 年 10 月,国家环境保护局和国家技术监督局发布了 修订后的《污水综合排放标准》(GB 8978-1996 )。按照该标准的适用范围和使用原则,在以往的工 程中,本行业一般执行“一切排污单位”或“其他排污单位”的项目和标准,显然,这并不符合本 行业的实际情况。 大气污染物执行的是《大气污染物综合排放标准》(GB 16297-1996 ),按该标准来控制本行业的 大气污染物排放,也存在一定的问题。例如,本行业大气污染物中的四甲基氢氧化铵((CH ) NOH )、 3 4 二甲基亚砜((CH ) SO )、2-氨基乙醇(C H NO )、单甲基醚丙二醇(C H O )、丙二醇甲醚醋酸酯 3 2 2 7 4 10 2 (C H O )等有机废气在《大气污染物综合排放标准》(GB 16297-1996 )标准中没有反映,在以往 6 12 3 的工程中,只能参照“非甲烷总烃”执行。 很显然,本行业水污染物按照《污水综合排放标准》(GB 8978-1996 )执行,其可操作性较差, 不利于环境保护行政管理部门监督管理,也不利于企业有效控制污水排放;本行业执行《大气污染 物综合排放标准》(GB 16297-1996 )也不能反应该行业大气污染物排放的实际情况。 根据国家环保总局“按照环境保护全过程控制”的思想以及由现行污染物综合排放标准逐渐向 以行业排放标准为主的染物排放标准的总体思路,结合电子行业环境保护和环境管理的实际需要, 为更有效地控制污染物排放,在对国内外真空器件和显示器件产品生产过程中有关污染物的法规、 标准进行调查研究的基础上,制订符合本行业的国家污染物排放标准,以逐步缩小综合性国家排放 3 标准的适用范围是十分必要的。 欧美发达工业国的工业废水排放同时受到排污许可证和行业排放标准约束。排污许可证实际上 就是总量控制,它规定了该废水在许可证有效期内向指定受纳环境排放限定的污染物种类和数量; 排放标准则规定了废水污染物的排放浓,其目的是降低受纳水体受冲击负荷的影响,并对总量控制 未涉及的某些污染物排放种类和排放量进行监测。 制订行业污染物排放标准是发达国家的发展趋势。象美国就有超过 100 个行业排放标准,主要 的行业标准下还细分子类标准。欧盟的工业行业区分程度不如美国,如德国的污水排放标准(2000 版)中区分了 56 个工业行业,行业标准下一般不设子类。发达国家和地区中只有日本及我国台湾地 区实行类似中国的综合排放标准。 到目前为止,我国先后颁布了 30 多个污染物行业排放标准,但无论是行业细分程度和指标项目 设置方面与欧美发达国家尚有差距。 我国目前尚缺少电真空器件、平板显示器件及光电子器件生产过程中产生的污染物排放标准, 必须制定单独的国家排放标准。总之,制订污染物行业排放标准是国内外的发展方向。 1.3 标准制定的原则和方法 1.3.1 标准制定原则 按照我国现行的标准框架形式设置标准,采用以污染物排放浓度控制的标准体系。 标准应针对性强,符合中国的国情,使其具有良好的技术可行性、可操作性、可管理性,确保 本标准可在未来数年内有效实施,并起到引导本行业大力发展“清洁生产”,同时能有效促进本行业 污染物控制和治理技术的大力发展。 标准的各项定义应严谨、明确、清晰,标准的适用范围、污染物控制指标设置应科学、合理; 在本标准实行的一定时期内,新建企业、现有企业分别执行不同的污染物排放限值,当现有企 业的宽限期一旦到达,新建企业和现有企业必须执行相同的排放限值。 污染物浓度限值设置应具有一定的超前性,既要考虑与国际先进水平的接轨,又要考虑中国的 国情,同时要考虑现有处理技术达标的可行性。 标准编制体例、格式符合国家标准化导则 GB/T 1.1-2000 的要求。 通过对行业污染源的分析和调查,合理、准确判定污染因子。 1.3.2 标准制定方法 采用调研与数据统计相结合的方法编制本标准。 (1)调研我国现阶段本行业的污染物排放状况及污染物排放标准执行情况; (2 )调研欧美、日本及我国台湾等发达国家或地区污染物排放标准状况;通过调研,深入了解 国外有关行业排放标准的污染物控制项目、排放限值(包括浓度限制和总量限制等)、监测方法等方 4 面的技术资料,以及标准制定的方法和依据,为等同或等效采用国外标准提供参考资料。 (3 )调研国家现行污染物排放标准状况; (4 )调研国内外电真空器件、平板显示器件、光电子器件污染物控制技术,使本标准既满足现 有控污技术,又具有一定的超前性,在借鉴国内外同行业污染物控制技术的同时,为制定我国排放 标准提供依据。 (5 )研究本标准的框架和内容; (6 )整理、分析、比较调研资料; (7 )本标准达标可行性研究; (8)编写标准草案; (9 )编写标准说明。 (10)咨询专家、管理部门意见; (11)根据反馈意见,对标准草案和说明再修订、定稿; 2.产污分析及污染因子的确定 正确的产污分析是准确识别行业污染因子的前提;污染物控制技术的分析是制定污染物限值的基 础,因此,必须进行产污分析并识别污染因子。 2.1 电真空行业产污分析( 以CRT 生产为代表) 2.1.1 虽然电真空企业涉及的产品众多,每种产品的工艺过程不尽相同,但生产工艺过程中常用主要 化学物质却基本相同,而这些化学物质恰恰是形成污染的源头,表 1、表2 、表 3 分别给出了电真空 行业常用的化学类物质和重金属类物质。 表 1 电真空行业常用酸碱类化学物质 名称 化学式 用途 形成的污染因子 氢氟酸 HF 玻璃清洗 pH 、F 盐酸 HCl 通用 pH 硫酸 H2SO4 通用 pH 硝酸 HNO3 玻璃清洗 pH 、硝酸盐氮 磷酸 H3PO4 通用 pH 、磷酸盐 草酸 H C O .2H O 涂屏、蒸铝 pH 2 2 4 2 氨基磺酸 SO (OH)NH 涂屏工艺 NH -N 2 2 3 重铬酸胺 (NH4 ) CrO 涂屏工艺 NH -N、总铬、C 6+ 2 7 3 r 重铬酸钾 K2CrO7 涂屏工艺 总铬、C r6+ 次氯酸钠 NaClO 涂屏工艺 氧化物 双氧水 H2O2 涂屏工艺 氧化物 氢氧化钠 NaOH 去油清洗 pH 、COD、石油类 碳酸钠 Na2CO3 去油清洗 pH 、COD、石油类 磷酸钠 Na3PO4 去油清洗 磷酸盐 氟化氨 NH4HF2 清洗、涂屏 NH3-N、F 石墨 涂屏工艺、锥加工 SS 5 名称 化学式 用途 形成的污染因子 荧光粉(红粉) 涂屏工艺 SS 荧光粉(蓝粉) 涂屏工艺 SS 荧光粉(绿粉) 涂屏工艺 SS 表 2 电真空行业常用有机类化学物质 名称 化学式 形成的污染因子 甲醇 CH3OH 甲醇 乙醇 C H OH BOD 、COD 2 5 异丙醇 (CH ) CHOH BOD 、COD 3 2 甲苯 C H CH 甲苯 6 5 3 二甲苯 C H (CH ) 二甲苯 6 4 3 2 丙酮 CH3COCH3 BOD 、COD 醋酸已酯 CH (CH ) CH OOCCH BOD 、COD 3 2 4 2 3 醋酸丁酯 CH COOC H BOD 、COD 3 4 9 醋酸戊酯 CH:COOC5H11 BOD 、COD 三氯乙烯 CHCLCCL2 三氯乙烯 三氯乙烷 CH3CCL3 BOD 、COD 水基清洗剂 主要成分;萜二烯(C H )n COD 5 8 表 3 电真空行业常用重金属类化学物质 名称 化学式 用途 形成的污染因子 汞 Hg 充气管 Hg 铅 Pb 低熔点玻璃 Pb 铍 Be X 光管 Be 铬 Cr 荧光粉 Cr 2.1.2 电真空器件生产过程污染源分析 电真空器件生产排放污染物主要来源于材料零件净化、零件被复、电极制造;生产过程中产生 含氢氟酸废水、石墨及酸碱废水、荧光粉废水(含金属铬)、有机废水及其他各工序的一般废水,电 真空器件生产废水水质见表 4 。生产中生产的有害气体主要是酸碱废气,有机废气(主要为甲苯、醋 酸丁酯、乙醇等)以及一般性热气、粉尘等废气,电真空器件生产废气性质见表 5 。就电真空器件生 产制造业而言,其污染物排放具有水量大、废气气量大的特点。据资料显示,电真空器件生产是耗 水量较大的行业,工厂一条 21 英寸年产 100 万只彩管生产线 电真空器件生产废水水质 单位:mg/L (pH 除外) 废水种类 pH SS COD BOD F- Zn2+ Pb2+ Cr6+ n-Hex 氢氟酸 2.7~3.5 50 10 10 250 0.13 0.02 0.05 1 荧光粉 7~7.5 50 60 10 0.05 0.05 0.05 5 1 石墨、酸 3~12 50 30 10 1.5 0.15 0.2 0.05 1 硝酸铅 2.5~5 50 10 10 34 50 300 0.03 一般排水 7~8 50 10 4 0.2 0.06 0.05 0.05 1.5 有机 7~8 500 50 180 6 表 5 电真空器件生产废气性质 序号 设备名称 有害物名称 有害物浓度 排出温度 1 退火炉 热 H2 - 100 2 荫罩清洗机 热水汽 - 50 3 气体黑化炉 粉尘、NOx 100mg/m3 200 4 屏吹风装置 粉尘 150mg/L - 废热 - - 5 BM 涂复机 21 HF 、NH4F 10 mg/L - 热 - - 6 BM 涂复机 32 HF 、NH4F 10 mg/L - 热 - - 7 BM 涂复机 21 HF 、NH4F - - 8 PH 涂复机 21 排热 - - 9 PH 涂复机 29 排热 - - 10 PH 涂复机 32 排热 - - 11 屏清洗机(29 、32 ) HF - - 12 荫罩清洗机 29S4 线 排热、水汽 - - 13 荫罩清洗机 21 排热、水汽 - 45 ℃ 14 荫罩清洗机 32 排热、水汽 - - 荧光粉 - - 15 绿粉再装置 NaOH 、(NH ) CO 〈10 mg/L - 4 2 3 荧光粉 - - 16 兰粉再生装置 NaOH 、醋酸 〈10 mg/L - 荧光粉 - - 17 红粉再生装置 NaOH 、HCl 〈10 mg/L - 2.1.3 电真空器件(CRT)工艺生产过程污染环节示意图 电真空器件(CRT)工艺生产过程污染环节见图 1。 7 平板荫罩 水基清洗剂、H ,煤气 2 清洗黑化 有害废气、有机废水、 屏 装配 酸性废气、酸碱(F )废 HF NaOH 清洗 水、酸性废液 氟化铵、双氧水、重铬酸 酸性废气,酸性(F )废水、荧光粉 胺、荧光粉、石墨、氨基 涂屏 磺酸 废水、石墨废水、固废荧光粉 甲苯、二甲苯、草酸 涂有机膜 有机废气 蒸铝 油废气 氟化胺 屏装配 酸性废气、酸性废水、 石墨 FH 、NOH3 内涂、封接 酸性废气,酸性(F )废水、 锥 电子枪、煤气 废 气 封口 煤气 排气 废气、固废碎玻璃 老炼、测试 X 射线 石墨 外涂 石墨废水、HR 辐射 乙醇、氟化胺 表面处理 有机废气、酸性 ITC 成品 图 1 电真空器件(CRT)工艺生产过程污染环节示意图 8 2.2 新型平板显示器行业产污染状况分析 平板显示器件(FPD)主要有 TN/STN-LCD、TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器件)、FED(场发射 显示器)、VFD(真空荧光显示器)、OLED(有机发光二级管显示器)和 PDP(等离子显示器件)等。 从产生污染的角度而言,具有代表性的产品有 TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器件)和 PDP(等离子 显示器件)。以下分别对 TFT-LCD和 PDP 行业的产污进行分析。 2.2.1 TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器件)行业产业状况分析 2.2.1.1主要工艺流程 完整的 TFT-LCD 的生产工艺流程主要包括阵列工程(Array)、彩膜工程(CF)、成盒工程(Cell) 三大部分。 (a)阵列工程(Array) 阵列工程是制作 TFT薄膜晶体管阵列基板(即下玻璃),包括玻璃基板清洗、薄膜(CVD、溅射)、 光刻(涂胶、曝光、显影)、烘干、刻蚀(干法刻蚀、湿法刻蚀)、剥离、退火、检查等工序。其简 化工艺流程如图 2 所示: 清洗 CVD/溅射 涂胶 曝光 显影 烘干 检查 退火 剥离 刻蚀 图2 阵列工程生产工艺流程 阵列工程使用外购的专用玻璃基板,充分清洗后在其清洁干净的表面上通过化学气相沉积(CVD) 的方法形成半导体膜或隔离膜,通过溅射镀膜的方法形成金属膜。然后对栅电极及引线、有源层孤 岛、源漏电极及引线、接触通孔、像素电极、经光刻胶涂敷、光刻胶曝光、显影等光刻工艺并经湿 法刻蚀、干法刻蚀后,剥离掉多余的光刻胶,经热处理把半导体特性作均一化处理后即制成薄膜晶 体管阵列玻璃基板。 在阵列过程中需要多次进行基板清洗、沉积、光刻、干法/湿法刻蚀、剥离,使用的化学品和特殊气 体种类较多,本项目的主要污染源也来自于此,其特点与集成电路生产的前工序(芯片制造)类似。 (b)彩膜工程(CF) 9 彩膜工程为彩色滤光片的生产,包括清洗、黑色矩阵(BM)膜形成、红绿蓝(R.G.B)三色涂布、 上保护(OC)膜、镀 ITO层 、PS膜、检查等工序。其简化工艺流程如图 3所示。 彩色滤光片(Colour Filter)的结构包含玻璃基板、黑色矩阵、彩色膜、保护膜及 ITO 导电膜, 此光电组件是在透明玻璃基板上制作防反射的遮光层-黑色矩阵(Black matrix),洗净后再进行光 阻的涂布,先涂布红色彩色光阻后,经曝光、显影、烘烤,形成红色滤光层,再依序制作并形成具 有透光性红、绿、蓝三原色的彩色滤光膜层,然后在滤光层上涂布一层平滑的保护层(Over Coat), 最后溅射镀上透明的 ITO导电膜。同时形成 PS。 清洗 BM膜形成 RGB三色涂布 上保护膜 检查 PS膜 镀ITO层 图3 彩膜工程生产工艺流程 (c)成盒工程(Cell) 成盒工程(制屏工序),主要由配向膜(PI)涂敷、摩擦、垫料散布、液晶注入、真空粘合、 紫外固化、切割、贴偏光片、终检等各工序。其简化工艺流程如图 4 所示: 阵列基板 配向膜 摩擦 液晶滴入 真空粘贴 固化 彩膜基板 终检 贴偏光片 切割 图4 成盒工程生产工艺流程 成盒过程是将阵列玻璃基板和彩色滤光片经清洗,表面涂敷取向膜、经固化、摩擦配向处理,在 阵列基板涂布封框胶及液晶滴注后,两基板在真空中粘合、固化,即成盒。再根据需求进行盒分割, 并贴上偏光片,形成为 LCD显示面板(Panel),经检验、包装最终成为液晶盒成品。 (d)模块工程(Module) 10 模块车间模块的生产,包括 TCP焊接、PCB 焊接、焊接检查、返修、老化、自动包装等工序。 模块过程是把 LCD 面板与外部驱动芯片和信号基板相连接,并组装背光源和防护罩,在加温状态下 作老化处理,经过最后电气特性检查后即成为 LCD模块。此模块可提供给下游厂家使用。 2.2.1.2 TFT-LCD 工艺生产过程污染环节示意图 阵列工程(Array)、彩膜工程(CF)、成盒工程(Cell)工艺过程产污环节见图 5~图 7。 11 玻璃基板 DI 纯水,清洗液 清 洗 有机废水 栅电极溅射沉积 Mo/Al 靶材 Gate Mo/AlNd/Mo 有机废水,酸碱废水 HMDS ,光刻胶, 稀释 1次掩膜光刻 碱性废气,有机废气 剂 ,显影液, DI 纯水 废液 有机废水,废液, Al 刻蚀液, DI 纯水 湿法刻蚀 Gate 酸性废气 剥离液, DI 纯水 光刻胶剥离 有机废水,废液 高沸点有机废气 DI 纯水 清 洗 酸碱废水 SiH , 1%PH /H , NH 有源层 PECVD 淀积 4 3 2 3 有害废气, 含氟废水 NF ,H ,回收水(ROR) ACT SiNx/a-Si/n+ 3 2 有机废水,酸碱废水 HMDS ,光刻胶, 稀释剂, 2次掩膜光刻 碱性废气,有机废气、 显影液, DI 纯水 废液 有害废气 CF , HCl, SF Cl , 干法刻蚀 Active 4 6 2 含氟废水 回收水(ROR) 有机废水,废液 剥离液, DI 纯水 光刻胶剥离 高沸点有机废气 DI 纯水 清 洗 酸碱废水 源/漏电极溅射沉积 Ar 、Mo/Al 靶材 SD Mo 有机废水,酸碱废水 HMDS ,光刻胶, 稀释剂, 3次掩膜光刻 碱性废气,有机废气、 显影液, DI 纯水 废液 有机废水,废液 Al 刻蚀液, DI 纯水 湿法刻蚀 SD 酸性废气 CF4, HCl, SF6 有害废气 干法刻蚀 n+a-Si Cl2, 回收水(ROR) 含氟废水 12 接上页 有机废水,废液 剥离液, DI 纯水 光刻胶剥离 高沸点有机废气 DI 纯水 清 洗 酸碱废水 1%PH /H , NF , SiH 3 2 3 4 钝化层淀积 有害废气, 含氟废水 NH , H , 回收水(ROR) 3 2 PVX SiNx 有机废水,酸碱废水 HMDS ,光刻胶, 稀释 4 次掩膜光刻 碱性废气,有机废气 剂 ,显影液, DI 纯水 废液 CF , HCl , ,SF 4 6 干法刻蚀 PVX 有害废气, 含氟废水 Cl2, 回收水(ROR) 剥离液, DI 纯水 光刻胶剥离 有机废水,废液 高沸点有机废气 DI 纯水 清 洗 酸碱废水 ITO 靶材,Ar ITO 像素溅射沉积 有害废气 有机废水,酸碱废水 HMDS ,光刻胶, 稀释剂, 5 次掩膜光刻 碱性废气,有机废气 显影液, DI 纯水 废液 ITO 刻蚀液,Al 刻蚀液 湿法刻蚀 PVX 有机废水,废液 DI 纯水 酸性废气 剥离液, DI 纯水 光刻胶剥离 有机废水,废液 高沸点有机废气 退 火 阵列剥离终检 成盒制屏工程 图5 阵列工艺流程及产污环节图 13 14 阵列工程 阵列剥离Array 彩色滤光片 C/F 清洗液 清洗液, DI 纯水 清洗 DI 纯水 清洗 有机废水 有机废水 涂 PI 及固化 涂 PI 及固化 摩擦取向 摩擦取向 有机废水 清洗液, DI 纯水 摩擦后清洗 清洗液 摩擦后清洗 有机废水 DI 纯水 散布隔垫物 涂封框胶及固化 转印电极散布 液晶滴下 真空贴合 紫外及热固化 切割断屏 切割断屏 DI 纯水 清洗 酸碱废水 贴偏振片 盒终检 模块工程 图6 成盒/制屏(Cell)工程流程及产污环节图 15 成盒/制屏工程 液晶屏 酸碱废水 DI 纯水 电极端子清洗 ACF 贴付 TAB 热压连接 PCB 热压连接 PCB 焊接 TCP 弯曲 背光源及外框组装 检测 老化 终检 包装入库 图7 模块工艺流程及产污环节图 2.2.1.3 TFT-LCD 生产线污染物分析 TFT-LCD 生产工艺过程中常用主要化学物质及形成的污染物因子分别见表 6~表 8。 16 表 6 阵列工程(Array )常用主要化学物质 形成的污染物 序号 材料名称 使用的化学物质 废水 污染 废气 污染 回收 性质 因子 性质 因子 1 玻璃基板 玻璃 高沸点有 DMSO(二甲亚砜 (CH ) SO) 、乙醇胺 COD 、 有机废液 3 2 有机废水 2 剥离液 机废气 VOCs (MEA) (H NCH CH OH) (8%) BOD 90%回收 2 2 2 (2%) 25% 四 甲 基 氢 氧 化 铵 (TMAH) (CH ) NOH ;稀释剂(OK73 ):70% 3 4 COD 、 的 PGME( 单 甲 基 醚 丙 二 醇 有机废水 碱性废气 (CH ) NO 3 4 3 显影液 BOD 、pH 、 90% 回收 C H 3 O C H 2 C H ( O H ) C H 3 ) 和 30% 的 (99.5 %) (0.5 %) H NH3 -N PGMEA( 丙 二 醇 甲 醚 醋 酸 酯 CH COOCH(CH )CH OCH 3 3 2 3 光刻胶(主体:酚醛树脂、丙二醇醚酯 等;稀释剂(OK73 ):70% 的PGME(单 甲 基 醚 丙 二 醇 COD 、 4 光刻胶 有机废水 有机废气 VOCs C H 3 O C H 2 C H ( O H ) C H 3 ) 和 30% 的 BOD PGMEA( 丙 二 醇 甲 醚 醋 酸 酯 CH COOCH(CH )CH OCH ) ,HMDS 3 3 2 3 VOCs 5 稀释剂 单乙基醚丙二醇、丙二醇单甲醚乙酸酯 有机废气 70 %回收 (30 %) 磷 酸 pH 、磷酸 (H PO ) 、 3 4 盐、硝酸盐 乙 酸 94 %废液 磷酸(H PO ) 、乙酸(CH COOH) 、硝酸 3 4 3 6 Al 刻蚀液 有机废水 氮、COD、酸性废气 (CH3COO 收集,委外 (HNO3) BOD H) 、硝酸 回收。 (5.7 %) (HNO3) (0.3 %) (C H O 2 2 4 pH 7 ITO 刻蚀液 3.48%草酸(C H O 2H O) 酸性废水 酸性废气 2H2O) 2 2 4 2 (99.9 %) (0.1 %) COD 、 8 HMDS 六甲基二硅烷胺(CH ) SiSi(CH ) 有机废水 有机废气 VOCs 3 3 3 3 BOD 三 氟 化 氮 9 NF3 -1 NF3 含 F 废水 pH 、F 有害废气 氟化物 F 10 六氟化硫 SF6 SF6 11 硅烷 SiH4 SiH4 SS 12 氨 NH NH 含氨废水 NH -N 有害废气 NH - 3 3 3 3 磷烷 PH3/ 氢 15 1%PH / H 含磷废水 P O (总磷) 有害废气 PH - 3 2 2 5 3 气 H2 16 氯 C12 C12 酸性废水 盐酸 酸性废气 HCl - 17 靶材 Mo 、Al 、Al 、Nd(Nd2at%) - - - - - 17 形成的污染物 序号 材料名称 使用的化学物质 废水 污染 废气 污染 回收 性质 因子 性质 因子 ITO 氧化铟锡(SnO 10w%,) 2 表 7 彩膜工程(CF)常用主要化学物质 序 形成的污染物 材料名称 主要化学物质 号 废水性质 污染因子 废气性质 污染因子 回收 1 玻璃基板 PGMEA(丙二醇甲醚醋酸酯) 2 PGMEA(稀释剂) - - 有机废气 VOCs 废液收集 CH COOCH(CH )CH OCH 3 3 2 3 ITO-Rework Fe3+ 、pH 、硝酸 3 FeCl (氯化铁) + HNO (硝酸) 酸性废水 酸性废气 HNO (硝酸) - 3 3 3 (氧化铟锡重制酸) 盐氮 PGME(丙二醇甲醚) VOCs 、 RGB-Rework(重制 有机废水 有机废气 4 C H 3 O C H 2 C H ( O H ) C H 3 )和 pH 、COD 、BOD KOH(氢氧化 废液收集 液) 碱性废水 碱性废气 KOH(氢氧化钾) 钾) 5% KOH KOH(氢氧化 5 KOH(氢氧化钾)+界面活性剂 碱性废水 pH 、COD 碱性废气 - (氢氧化钾显影液) 钾) 6 光刻胶 PR BM,R,G,B 废液回收 表 8 成盒/制屏(Cell)工程、模块(Module)工程常用主要化学物质 形成的污染物 序号 材料名称 主要规格 废水性质 污染因子 废气性质 污染因子 回收 1 清洗剂1(掩模版) 丁酮Butylacetone 有机废水 COD 、BOD - - - 2 清洗剂2 (掩模版) 乙醇 100% 有机废水 COD 、BOD - - - 3 NMP N- 甲基2-四氢吡各酮 有机废水 COD 、BOD 有机废气 VOCs 废液收集 2.2.1.4 主要污染物的来源 TFT-LCD 制造生产工艺在玻璃基板表面有清洗、化学气相沉积(CVD )、溅射金属膜、 涂光刻胶、曝光、显影、湿法刻蚀、干法刻蚀、剥离等工序,包括形成栅极、有源层漏极岛、 源漏电极、接触过孔、像素电极等过程这些工序反复交叉,经热处理成为基板中间产品后, 并以有机溶剂或水洗净,充填液晶,盒分割,贴偏光片,最后进行组装测试。包括检查和测 试在内实际达到 100 多道的工艺步数组成 TFT-LCD 生产的全过程,同时生产过程中使用多 种化学有机溶剂、2018最新正版梅花诗,特殊气体和配套动力。 由以上 TFT 生产工艺流程及产污环节的分析可知,TFT 液晶面板生产的污染物的工序 主要集中在阵列工程和彩膜工程两大部分。现对其分析如下: (1) 阵列工程 18 1)清洗 清洗是 TFT 生产过程中非常重要的一道生产环节,围绕玻璃面板进行。有玻璃基板清 洗(纯水洗)、化学气相沉积(CVD )后的清洗(纯水洗)、溅射涂金属膜后的清洗(纯水 洗)、剥离脱膜时清洗(纯水),以及成盒过程的清洗等等。 对玻璃面板清洗是完全清除玻璃面板表面的尘埃颗粒、有机物残留薄膜和吸附在表面的 金属离子。最主要的清洗方式是将玻璃面板沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗。由于 TFT-LCD

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